小型蒸鍍儀的使用可分為這四個步驟

　　小型蒸鍍儀蒸發鍍膜包括以下基本工藝╃₪：

　　

　　1☁☁╃╃│、加熱蒸發過程╃₪：包括將凝相變為氣相的過程✘▩☁₪•。每種蒸發物質都有不同的溫度飽和蒸氣壓✘▩☁₪•。

　　

　　2☁☁╃╃│、氣態原子或分子在蒸發源與基板之間的傳輸✘☁，即原子或分子在環境大氣中的飛行過程✘▩☁₪•。

　　

　　3☁☁╃╃│、在基板表面蒸發原子或分子的沉積過程✘▩☁₪•。即蒸發☁☁╃╃│、凝結☁☁╃╃│、成核和核生長✘☁，形成連續的薄膜✘▩☁₪•。由於基板溫度遠低於蒸發源溫度✘☁，因此氣態分子會在基板表面發生從氣態到固態的相變過程✘▩☁₪•。

　　

　　小型蒸鍍儀的使用可分為四個步驟✘☁，即氣相沉積前的準備☁☁╃╃│、氣相沉積裝置的預熱☁☁╃╃│、薄膜的氣相沉積和停機✘▩☁₪•。

　　

　　1☁☁╃╃│、蒸發前的準備工作╃₪：

　　

　　（1）開啟充氣閥✘☁，給鐘罩充氣✘☁，然後提起鐘罩；

　　

　　（2）根據鐘罩是否乾淨✘☁，先用酒精清洗鐘罩內的零件；

　　

　　（3）安裝鉬舟✘☁，將鋁絲放入鉬舟中✘☁，將待沉積的基材粘在鋁板上；

　　

　　（4）鐘罩下降時✘☁，觀察鐘罩下降時鐘罩內是否有物體☁☁╃╃│、雜物✘▩☁₪•。

　　

　　2☁☁╃╃│、氣相沉積儀的預熱╃₪：

　　

　　（1）啟動機械泵✘☁，將鐘罩抽出✘☁，接低真空測量✘☁，直到鐘罩內的真空度降至5pa以下；

　　

　　（2）調節螺桿至10-20Pa✘☁，此時可對蒸鍍基板材料進行轟擊✘▩☁₪•。如果不需要轟擊✘☁，則直接進行下一步✘▩☁₪•。轟擊時間根據需要控制✘☁，主要用於處理沉積基板的表面✘▩☁₪•。轟擊結束後✘☁，將轟擊撥盤置零✘☁，然後將撥盤的“轟擊”檔轉至“關”檔；

　　

　　（3）將低壓閥推至泵送系統✘▩☁₪•。當壓力低於5pa時✘☁，啟動擴散泵✘☁，預熱40分鐘✘▩☁₪•。

　　

　　3☁☁╃╃│、蒸發膜╃₪：

　　

　　（1）預熱後✘☁，開啟高閥✘▩☁₪•。大約40-60秒後✘☁，開啟高真空測量（開啟燈絲）✘☁，將低真空測量切換到擴散泵的前級測量✘▩☁₪•。當真空度達到2-3×10-3時✘☁，滿足蒸發的真空度要求；

　　

　　（2）開啟“工件轉動”齒輪✘☁，按要求調節“工件轉動”的速度（接觸調壓值20-30）；

　　

　　（3）開啟烘烤✘☁，調整所需溫度✘☁，根據實際需要設定烘烤時間✘▩☁₪•。如果不需要烘烤✘☁，可以進行下一步氣相沉積實驗；

　　

　　（4）選擇放置電極的位置✘☁，開啟“蒸發”齒輪✘☁，在相應的電極位置插入“銅絞”✘☁，開始加大電流（約180A）溶解蒸發的物質✘▩☁₪•。當發現已經熔化時✘☁，擋板會擋住蒸發源✘▩☁₪•。*熔化後✘☁，開啟擋板✘☁，讓材料蒸發到基材表面；

　　

　　（5）蒸發後✘☁，所有齒輪應歸零✘▩☁₪•。關閉高真空測量✘☁，關閉高閥✘☁，拔出低閥至“抽出鐘罩”位置✘☁，停止機械泵✘☁，待工件冷卻後給鐘罩充氣✘☁，提起鐘罩✘☁，取出零件✘☁，並清潔塗層室✘▩☁₪•。

　　

　　（6）如需額外蒸發✘☁，應更換基板✘☁，並給電極（鉬舟）充電✘▩☁₪•。

　　

　　4☁☁╃╃│、關機╃₪：

　　

　　（1）如果小型蒸鍍儀蒸發完成✘☁，關閉高真空測量✘☁，關閉高閥✘☁，停止擴散泵✘☁，在實驗結束時啟動機械泵✘▩☁₪•。等待2小時冷卻後✘☁，將低位閥拉至“鐘罩”位置✘☁，使鐘罩內保持一定的真空度；

　　

　　（2）關閉氣相沉積儀總開關；

　　

　　（3）先關“進”閥✘☁，再關“出”閥（冷卻水）；

　　

　　（4）關閉氣相沉積儀電源；

　　

　　（5）關閉主電源✘▩☁₪•。

　　

　　（6）塗裝實驗結束後✘☁，注意清洗所有零件的原廠零件✘☁，退回所有材料✘☁，並進行清潔以保持實驗室清潔✘▩☁₪•。