NiNi基底石墨烯

Ni基底石墨烯是一種基底

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GaN氮化鎵（GaN）晶體基片

GaN易與AlN₪✘·◕、InN等構成混晶₪✘，能製成各種異質結構₪✘，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因為2-DEG面密度較高₪✘，有效地遮蔽了光學聲子散射₪✘·◕、電離雜質散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片☁↟₪。

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（MgAl2O4）進口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片

進口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片

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（MgAl2O4）鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片

鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片

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（MgAl2O4）鋁酸鎂（MgAl2O4）晶體基片

鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應用於聲波和微波器件及快速IC外延基片☁↟₪。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底☁↟₪。MgAl2O4晶體由於很難維持它的單晶結構而難以生長₪✘，經過幾年的努力₪✘，目前科晶公司能夠提供世界上質量*尺寸的MgAl2O4晶體

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AuAu靶

Au靶材於薄膜製備

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矽鍺（Si-Ge）晶體基片

矽鍺（Si-Ge）晶體基片

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AL2O3晶棒

AL2O3晶棒

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非極性GaN晶體基片

非極性GaN晶體基片

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鋁酸鑭（LaAlO3）晶體基片

鋁酸鑭（LaAlO3）晶體基片

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鋁酸鍶鉭鑭（LSAT）晶體基片

鋁酸鍶鉭鑭（LSAT）晶體基片

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鈦酸鍶（SrTiO3）雙晶基片

鈦酸鍶（SrTiO3）雙晶基片

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LaNiO3導電薄膜

LaNiO3導電薄膜

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Al摻雜ZnO基薄膜

Al摻雜ZnO基薄膜

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Ca3CO4O9氧化物熱電薄膜

Ca3CO4O9氧化物熱電薄膜

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