GaN氮化鎵（GaN）晶體基片

GaN易與AlN╃·•、InN等構成混晶•│✘••，能製成各種異質結構•│✘••，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因為2-DEG面密度較高•│✘••，有效地遮蔽了光學聲子散射╃·•、電離雜質散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片↟│。

訪問次數▩│·✘：1063    產品價格▩│·✘：面議    廠商性質▩│·✘：生產廠家    更新日期▩│·✘：2022-10-12

（MgAl2O4）進口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片

進口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片

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（MgAl2O4）鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片

鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片

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（MgAl2O4）鋁酸鎂（MgAl2O4）晶體基片

鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應用於聲波和微波器件及快速IC外延基片↟│。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底↟│。MgAl2O4晶體由於很難維持它的單晶結構而難以生長•│✘••，經過幾年的努力•│✘••，目前科晶公司能夠提供世界上質量*尺寸的MgAl2O4晶體

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AL2O3晶棒

AL2O3晶棒

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